Name: Vishay Siliconix SI1012X-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012X-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1012X-T1-E3

Artikelnummer:

SI1012X-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Datenblätte:

1.SI1012X-T1-E3.pdf ···: Umweltinformationen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1012X-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1012X-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Vgs (Max)	±6V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-89-3
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 600mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	250mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SC-89, SOT-490
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.75 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	500mA (Ta)
Grundproduktnummer	SI1012
SI1012X-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI1012X-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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